石英晶体谐振器一般有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来。

无源晶振——无源晶振需要用DSP片内的振荡器，因为本身没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶体可以适用于多种电压。
无源晶振可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP，而且价格通常也比较低。

在滤波器、开关电源等产品中，我们为了抗电磁干扰，经常会采用两种元器件，那就是共模电感和差模电感，那两者有哪些不同呢？

继电器是什么？种类有哪些？通过下面内容的介绍，大家都会有继电器有一个全新的认识，如果大家阅读完本文还有不明白的地方可以在本文下方留言。

二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
二极管按用途分为：晶体二极管、双向触发二极管、高频变阻二极管、变容二极管、发光二极管、肖特基二极管。

Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）

先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

三极管ON状态时工作于饱和区，导通电流Ice主要由Ib与Vce决定，由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能简单的仅由Vce来决定，即不能采用饱和Rce来表示(因Rce会变化)。由于饱和状态下Vce较小，所以三极管一般用饱和Vce表示。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

在电子电路中，都要用到半导体二极管，它在很多的电路中起偏重要的感化，它是降生早的半导体器件之一，其使用也普遍。 

一般正规厂商生产的电子元器件都会在元器件的空白处标明厂家、元器件编号和生产日期等信息。

1V升压到3V和1V升压3.3V的升压芯片？

PW5100 是一款效率很大、低功耗、低纹波、高工作频率的 PFM 同步升压 DC/DC 变换器。输出电压可选固定输出值，从 3.0V，3.3V， 5.

如果是一个质量合格的贴片电容的话，那么外观尺寸应该是和外面标注的尺寸或者说明书上面以及外包装上面标注的尺寸是一致的，但如果你手头拿到一个贴片电容，我发现这个外观尺寸好像有些改变，比如说有轻微的瑕疵或者轻微的裂痕，那这个外观的尺寸就可能会有一些问题了，那间接的有可能说明这个电容出现一些问题，其次看锡脚，锡脚如有黑点、缺陷、裂纹、锡脚包边上下比例不协调等不良说明所以这样的好坏通过肉眼去看就可以大致的判断出来。

大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。

1首先当我们调节可调电阻R1，使R1=4.3K时，通过计算得到，Ib=(5-0.7)/4.3K=1mA,得出IC=Hfe*Ib=10mA,那么这个时候在调节R3，使R3=500欧姆，通过计算得到
Vc=5-(10mA*0.5K)=0V,接着我们来看三极管三个极的电压（Vb=0.7 Vc=0 Ve=0）2调节可调电阻R1，使R1=4.3K时，通过计算得到
Ib=(5-0.7)/4.3K=1mA,

12V转5V应用中，大多要求会输出电流高的，稳压LDO就不能满足了，需要使用DC-DC降压芯片来持续稳压5V，输出电流1000MA，2000MA，3000MA，5000MA等。不同的输出电流可以选择适

5V降压转3.3V和3V都是低压，两个之间的压差效率，所以效率和工作温度这块都会比较优秀，输入和输出的最低压差外是越小越好。
如果电流比较小，可以用LDO：PW6566 系列是

锂离子电池在如今是广泛应用存在我们生活中的方方面面的电子产品中。如，电子玩具，美容仪，医疗产品，智能手表，手机，笔记本，电动汽车等等非常多。
锂电池3.7V

产品概述
PW4053 是一款 5V 输入，最大 1.2A 充电电流，支持三节锂离子电池的升压充电管理 IC。PW4053 集成功率 MOS，采用异步开关架构，使其在应用时仅需极少的外围器件，

PW5300是电流模式升压DC-DC转换器。其内置0.2Ω功率MOSFET的PWM电路使该稳压器具有效高的功率效率。内部补偿网络还可以程度地减少了6个外部元件的数量。误差放大器的同

最近有几位SMT人在微信群里问到，为什么买到的贴片电容单个元件上没有丝印代号标记呢？是你厂商疏忽了？还是不买的不是原装的货？真因到底是怎样的，下面SMT顶级人脉圈小编一一给您解释，你就会明白了。

隔离开关在结构上没有特殊的灭弧装置，不允许用它带负载进行拉闸或合闸操作。隔离开关拉闸时，必须在断路器切断电路之后才能再拉隔离开关；合闸时，必须先合入隔离开关后，

光耦驱动芯片HCPL-316J是Agilent公司［编者注：2014年8月更名为keysight（是德）公司］生产的栅极驱动电路产品之一，可用于驱动150A/1200V的IGBT，开关速度为0.5？s，有过流